T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Struktur Single Anzahl der SCRs, Dioden 1 SCR Spannung - Aus Zustand 8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 2930A Current - On State (It (RMS)) (max.) 3300A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 67000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max) 350mA Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall TO-200AF |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Struktur - Anzahl der SCRs, Dioden - Spannung - Aus Zustand - Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) - Current - On State (It (RMS)) (max.) - Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) - Current - Gate Trigger (Igt) (Max) - Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) - Current - Hold (Ih) (Max) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Struktur Single Anzahl der SCRs, Dioden 1 SCR Spannung - Aus Zustand 8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 2930A Current - On State (It (RMS)) (max.) 3300A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 67000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max) 350mA Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AE |
