Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SUM90P10-19-E3 Datenblatt

SUM90P10-19-E3 Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 112,04 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SUM90P10-19-E3
SUM90P10-19-E3 Datenblatt Seite 1
SUM90P10-19-E3 Datenblatt Seite 2
SUM90P10-19-E3 Datenblatt Seite 3
SUM90P10-19-E3 Datenblatt Seite 4
SUM90P10-19-E3 Datenblatt Seite 5
SUM90P10-19-E3 Datenblatt Seite 6
SUM90P10-19-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12000pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

13.6W (Ta), 375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D2Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB