STY112N65M5 Datenblatt
STY112N65M5 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STY112N65M5
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ V FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 96A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16870pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 625W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket MAX247™ Paket / Fall TO-247-3 |
