STSJ100NH3LL Datenblatt
STSJ100NH3LL Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
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STSJ100NH3LL
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ III FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4450pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 70W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC-EP Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
