STS3C2F100 Datenblatt
STS3C2F100 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STS3C2F100














Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |