STR2N2VH5 Datenblatt
STR2N2VH5 Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STR2N2VH5
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ V FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 367pF @ 16V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 350mW (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
