Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STP220N6F7 Datenblatt

STP220N6F7 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 555,3 KB
STMicroelectronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: STP220N6F7
STP220N6F7 Datenblatt Seite 1
STP220N6F7 Datenblatt Seite 2
STP220N6F7 Datenblatt Seite 3
STP220N6F7 Datenblatt Seite 4
STP220N6F7 Datenblatt Seite 5
STP220N6F7 Datenblatt Seite 6
STP220N6F7 Datenblatt Seite 7
STP220N6F7 Datenblatt Seite 8
STP220N6F7 Datenblatt Seite 9
STP220N6F7 Datenblatt Seite 10
STP220N6F7 Datenblatt Seite 11
STP220N6F7 Datenblatt Seite 12
STP220N6F7 Datenblatt Seite 13
STP220N6F7

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ F7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

237W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3