STP12IE90F4 Datenblatt
STP12IE90F4 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STP12IE90F4











Hersteller STMicroelectronics Serie ESBT® Transistortyp NPN - Emitter Switched Bipolar Anwendungen Gate Driver Spannung - Nennspannung 900V Nennstrom (Ampere) 12A Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-4 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |