STP08IE120F4 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STP08IE120F4
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie ESBT® Transistortyp NPN - Emitter Switched Bipolar Anwendungen Gate Driver Spannung - Nennspannung 1200V (1.2kV) Nennstrom (Ampere) 8A Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-4 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |