STL8N65M5 Datenblatt
STL8N65M5 Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
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STL8N65M5
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ V FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.4A (Ta), 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 70W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerFLAT™ (5x5) Paket / Fall 14-PowerVQFN |
