STH160N4LF6-2 Datenblatt
STH160N4LF6-2 Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STH160N4LF6-2
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Hersteller STMicroelectronics Serie DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 181nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8130pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket H2Pak-2 Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
