STGB6M65DF2 Datenblatt
STGB6M65DF2 Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STGB6M65DF2
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Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 88W Schaltenergie 36µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 21.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/90ns Testbedingung 400V, 6A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
