STGB20NB32LZ Datenblatt
STGB20NB32LZ Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
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STGB20NB32LZ
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 375V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 4.5V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie 11.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 2.3µs/11.5µs Testbedingung 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
