STF33N60M6 Datenblatt
STF33N60M6 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STF33N60M6
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ M6 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.4nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1515pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 35W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
