STE26NA90 Datenblatt
STE26NA90 Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STE26NA90
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Hersteller STMicroelectronics Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.75V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 660nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 450W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket ISOTOP® Paket / Fall ISOTOP |
