Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SQM200N04-1M1L_GE3 Datenblatt

SQM200N04-1M1L_GE3 Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 138,57 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SQM200N04-1M1L_GE3
SQM200N04-1M1L_GE3 Datenblatt Seite 1
SQM200N04-1M1L_GE3 Datenblatt Seite 2
SQM200N04-1M1L_GE3 Datenblatt Seite 3
SQM200N04-1M1L_GE3 Datenblatt Seite 4
SQM200N04-1M1L_GE3 Datenblatt Seite 5
SQM200N04-1M1L_GE3 Datenblatt Seite 6
SQM200N04-1M1L_GE3 Datenblatt Seite 7
SQM200N04-1M1L_GE3 Datenblatt Seite 8
SQM200N04-1M1L_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

413nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20655pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263-7

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)