SQJQ900E-T1_GE3 Datenblatt
SQJQ900E-T1_GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SQJQ900E-T1_GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5900pF @ 20V Leistung - max 75W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 8 x 8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8 Dual |
