SQ2325ES-T1_GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SQ2325ES-T1_GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 840mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.77Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TA) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-236 (SOT-23) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
