SQ1563AEH-T1_GE3 Datenblatt
SQ1563AEH-T1_GE3 Datenblatt
Total Pages: 15
Größe: 294,28 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SQ1563AEH-T1_GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 850mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 89pF @ 10V, 84pF @ 10V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual |
