Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SP8J4TB Datenblatt

SP8J4TB Datenblatt
Total Pages: 5
Größe: 66,25 KB
Rohm Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SP8J4TB
SP8J4TB Datenblatt Seite 1
SP8J4TB Datenblatt Seite 2
SP8J4TB Datenblatt Seite 3
SP8J4TB Datenblatt Seite 4
SP8J4TB Datenblatt Seite 5
SP8J4TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

235mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP