SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SIZF906DT-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Leistung - max 38W (Tc), 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-PowerPair® (6x5) |
