SIZ926DT-T1-GE3 Datenblatt
SIZ926DT-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SIZ926DT-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V, 41nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V Leistung - max 20.2W, 40W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-PowerPair® (6x5) |
