SIZ920DT-T1-GE3 Datenblatt
SIZ920DT-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIZ920DT-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 18.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 15V Leistung - max 39W, 100W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-PowerPair® (6x5) |
