SIZ910DT-T1-GE3 Datenblatt
SIZ910DT-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 210,69 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIZ910DT-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V Leistung - max 48W, 100W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-PowerPair® (6x5) |
