SIUD401ED-T1-GE3 Datenblatt
SIUD401ED-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIUD401ED-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen III FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.573Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 0806 Paket / Fall PowerPAK® 0806 |
