SISS22DN-T1-GE3 Datenblatt
SISS22DN-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 253,86 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SISS22DN-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A (Ta), 90.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Paket / Fall PowerPAK® 1212-8S |
