SISS06DN-T1-GE3 Datenblatt
SISS06DN-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SISS06DN-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 47.6A (Ta), 172.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.38mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V Vgs (Max) +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3660pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Paket / Fall PowerPAK® 1212-8S |
