SIS888DN-T1-GE3 Datenblatt
SIS888DN-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 204,33 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIS888DN-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie ThunderFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 75V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 52W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TA) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Paket / Fall PowerPAK® 1212-8S |
