SIS782DN-T1-GE3 Datenblatt
SIS782DN-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 587,99 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIS782DN-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1025pF @ 15V FET-Funktion Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.) 41W (Tc) Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 |
