SIRA84BDP-T1-GE3 Datenblatt
SIRA84BDP-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 237,06 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIRA84BDP-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Ta), 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (Max) +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 36W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
