SIHU3N50DA-GE3 Datenblatt
SIHU3N50DA-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SIHU3N50DA-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 177pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 69W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket IPAK (TO-251) Paket / Fall TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
