Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIHH21N60EF-T1-GE3 Datenblatt

SIHH21N60EF-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 180,14 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SIHH21N60EF-T1-GE3
SIHH21N60EF-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SIHH21N60EF-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SIHH21N60EF-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SIHH21N60EF-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SIHH21N60EF-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SIHH21N60EF-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SIHH21N60EF-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SIHH21N60EF-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SIHH21N60EF-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SIHH21N60EF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2035pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

174W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 8 x 8

Paket / Fall

8-PowerTDFN