SIB406EDK-T1-GE3 Datenblatt
SIB406EDK-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SIB406EDK-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.95W (Ta), 10W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-75-6L Single Paket / Fall PowerPAK® SC-75-6L |
