SIAA00DJ-T1-GE3 Datenblatt
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20.1A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (Max) +16V, -12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 12.5V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V Vgs (Max) +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 19.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 |
