SIA850DJ-T1-GE3 Datenblatt
SIA850DJ-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SIA850DJ-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie LITTLE FOOT® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 190V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 950mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 90pF @ 100V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 1.9W (Ta), 7W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual |
