SI8902AEDB-T2-E1 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI8902AEDB-T2-E1
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 5.7W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UFBGA Lieferantengerätepaket 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
