SI8851EDB-T2-E1 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI8851EDB-T2-E1
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 8V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 660mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Power Micro Foot® (2.4x2) Paket / Fall 30-XFBGA |
