SI8457DB-T1-E1 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI8457DB-T1-E1
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 8V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) Paket / Fall 4-UFBGA |
