SI8417DB-T2-E1 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI8417DB-T2-E1
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-Micro Foot™ (1.5x1) Paket / Fall 6-MICRO FOOT®CSP |
