SI7792DP-T1-GE3 Datenblatt
SI7792DP-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 335,58 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SI7792DP-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie SkyFET®, TrenchFET® Gen III FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40.6A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4.735nF @ 15V FET-Funktion Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
