Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt

SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 561,27 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SI7129DN-T1-GE3
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 10
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 11
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 12
SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 13
SI7129DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.4mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3345pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 52.1W (Tc)

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8