SI7113ADN-T1-GE3 Datenblatt
SI7113ADN-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI7113ADN-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 132mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 515pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 27.8W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 |
