SI4477DY-T1-GE3 Datenblatt
SI4477DY-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI4477DY-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 26.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 18A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
