SI4401FDY-T1-GE3 Datenblatt
SI4401FDY-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SI4401FDY-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen III FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.9A (Ta), 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.2mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
