SH8K2TB1 Datenblatt
SH8K2TB1 Datenblatt
Total Pages: 4
Größe: 169,33 KB
Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SH8K2TB1
|
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.0x6.0) |
