SGH20N60RUFDTU Datenblatt
SGH20N60RUFDTU Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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SGH20N60RUFDTU
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max 195W Schaltenergie 524µJ (on), 473µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/48ns Testbedingung 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
