SGF5N150UFTU Datenblatt
SGF5N150UFTU Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 410,47 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SGF5N150UFTU
![SGF5N150UFTU Datenblatt Seite 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgf5n150uftu-0001.webp)
![SGF5N150UFTU Datenblatt Seite 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgf5n150uftu-0002.webp)
![SGF5N150UFTU Datenblatt Seite 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgf5n150uftu-0003.webp)
![SGF5N150UFTU Datenblatt Seite 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgf5n150uftu-0004.webp)
![SGF5N150UFTU Datenblatt Seite 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgf5n150uftu-0005.webp)
![SGF5N150UFTU Datenblatt Seite 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgf5n150uftu-0006.webp)
![SGF5N150UFTU Datenblatt Seite 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgf5n150uftu-0007.webp)
![SGF5N150UFTU Datenblatt Seite 8](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgf5n150uftu-0008.webp)
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5.5V @ 10V, 5A Leistung - max 62.5W Schaltenergie 190µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/30ns Testbedingung 600V, 5A, 10Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3PF |