SCTW90N65G2V Datenblatt
SCTW90N65G2V Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SCTW90N65G2V
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Hersteller STMicroelectronics Serie - FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 50A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 157nC @ 18V Vgs (Max) +22V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 400V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 390W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket HiP247™ Paket / Fall TO-247-3 |
