SCH2825-TL-E Datenblatt
SCH2825-TL-E Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SCH2825-TL-E
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 10V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 600mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-SCH Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads |
