RQA0004PXDQS#H1 Datenblatt
RQA0004PXDQS#H1 Datenblatt
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Renesas Electronics America
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RQA0004PXDQS#H1
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 16V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket UPAK Paket / Fall TO-243AA |
